[新聞] 台積電致股東報告書:2奈米座落竹科、中

八卦

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1.媒體來源:
聯合新聞

2.記者署名:
尹慧中


3.完整新聞標題:
台積電致股東報告書:2奈米座落竹科、中科 擴展未來技術領先


4.完整新聞內文:
台積電(2330)致股東營業報告書今(5)日上傳,台積電董事長劉德音、總裁魏哲家在致
股東的營業報告書中回顧過去台積電過去一年發展,並提及台積電技術發展,正為預計於民
國一百一十四年開始量產的2奈米技術(N2)做準備,該製程技術將座落於新竹和台中科學
園區,N2將進一步擴展我們未來的技術領先地位。

技術發展方面,台積電致股東營業報告書說,我們的2奈米技術將採用奈米片(Nanosheet)
電晶體結構,並提供全製程效能和功耗效率的效益,相較於 N3E,N2 在相同功耗下速度增
快 10%-15%,或在相同速度下功耗降低 25%-30%,以滿足日益增加的節能運算需求;N2將為
我們的客戶提供最佳的效能、成本,和技術成熟度,並將進一步擴展我們未來的技術領先地
位。

台積電致股東營業報告書說,隨著3奈米技術在民國一百一十一年邁入量產,並且在 PPA(
效能、功耗及面積)及電晶體技術上都是最先進的半導體技術,台積公司持續擴大我們的技
術領先。我們正在為下一世代的技術奠定堅實基礎,N2 技術的研發依計畫進行中,預計於
民國一百一十三年試產,並於民國一百一十四年量產。我們的2奈米技術推出時,在密度和
能源效率上都將是業界最先進的半導體技術。

台積電致股東營業報告書也提到,民國一百一十一年,台積公司持續提升研發費用至54億7,
000萬美元,以擴大我們的技術領先和差異化優勢。我們亦與客戶密切合作,協助全球的創
新者釋放創新,為半導體產業創造更大價值。

台積電致股東營業報告書提到, 5奈米家族技術已邁入量產的第三年,為台積公司營收貢獻
26%,我們持續強化 N5 家族的效能、功耗和密度,N4 已於民國一百一十一年開始量產,且
我們也為支援下一波的 5 奈米產品,推出了 N4P 和 N4X 製程技術。N4P 製程技術研發進
展順利,預計於民國一百一十二年量產;N4X 是台積公司第一個專注於高效能運算(HPC)
、高工作負載的技術,預計於民國一百一十二年進行客戶產品設計定案。

繼 N3 技術於民國一百一十一年進入量產,具備更好的性能、功耗和良率的N3E 將進一步擴
充我們的 N3 家族。N3E 預計於民國一百一十二年下半年量產。我們的 N3 和 N3E 客戶參
與度非常高,量產第一年和第二年的產品設計定案數量將是 N5 的兩倍以上。我們預期 N3
家族將成為台積公司另一個大規模且有長期需求的製程技術。

台積電致股東營業報告書也說,隨著台積公司不斷突破電晶體微縮的極限,也在不斷擴展台
積公司3DFabric設計解決方案,以提升系統級效能至新境界。台積公司3DFabric結合了晶圓
級 3D 和先進封裝技術,在我們的 3D 技術方面,系統整合晶片(TSMC-SoIC)晶片堆疊於
晶圓之上(Chip on Wafer, CoW)技術成功於民國一百一十一年邁入量產,透過將靜態隨機
存取記憶體(SRAM)堆疊於邏輯晶圓上展現顯著的效能優化;系統整合晶片(TSMC-SoIC)
晶圓堆疊於晶圓之上(Wafer on Wafer, WoW)技術則透過在深溝槽電容晶圓上堆疊 7 奈米
邏輯晶圓,為民國一百一十一年的高效能運算(HPC)產品展現了卓越的系統效能強化。在
我們的先進封裝技術方面,CoWoS®-S技術整合了多個系統單晶片(SoC)、高頻寬記憶體(
HBM)堆疊和三倍光罩尺寸的矽基板,成功於民國一百一十一年量產以支援客戶的高效能運
算(HPC)產品;在整合型扇出(InFO)先進封裝技術方面,整合了多個系統單晶片(SoC)
和兩倍光罩尺寸扇出封裝的台積公司整合型扇出暨基板封裝技術(InFO-oS),亦成功邁入
量產。

為了支援客戶釋放創新、讓產品迅速上市,台積公司提供了所需的完備基礎架構,為客戶優
化設計效率和週期時間。台積公司持續拓展我們的開放創新平台(Open Innovation Platfo
rm, OIP),於民國一百一十一年提供了超過5萬5,000個資料庫與矽智財組合,並提供從0.5
微米至3奈米超過4萬3,000個技術檔案及超過2,900個製程設計套件。


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