Re: [心得] GN 13、14代問題影片重點整理

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做

: 檢驗(Failure Analysis)的結果出來之後才知道可能的原因
: 以下為前述大客戶內線流出關於此故障事件的敘述：
: -這次事件的根源，是作為抗氧化的隔離塗層氮化鉭(TaN)在原
: 子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)的過程中出錯了，
: 造成CPU當中via裡的純銅氧化，使得電阻提升，並造成後續故
: 障***

TaN一般是叫做擴散阻障層
主要作用是防止銅與矽直接接觸
形成銅矽化合物
抗氧化很少聽過
ALD是一種化學氣象沉積
算一種通化學氣體沉積方法
假設這一步出錯
導致部分Ta被氧化
那他的電性應該出廠前就驗出異常
應該不會用了好幾個月後才劣化
假設他有部分氧氣吸附在TaN上
之後再鍍銅那些少量的氧應該也是很快反應掉

另外就是擴散阻障層太薄或不夠緻密
導致IMD(通常是氧化矽）中的氧慢慢滲透進去造成氧化～～但這可能性我覺得不高
因為通常這樣
應該會先形成銅矽化合物（這樣應該會整顆燒掉）

如果隨時間導致電阻升高
那電致遷移有可能～～

不過這應該再RA測試中被抓出來
不過RA我記得都要測好幾個月
可能intel太急了沒做確實吧

--

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.234.193.88 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1721561302.A.EC5.html

oppoR201樓確實我也是這麼想的 07/21 19:44

mrme9452樓跟我想得差不多(瞎說 07/21 19:47

→ mrme9453樓不過我寫出來的部份是我以為我有聽懂的部 07/21 19:47

→ mrme9454樓分，結果也是錯的嗎XD 07/21 19:47

rock08075樓想超車GG超到翻車了吧 07/21 19:52

Windcws9Z6樓所以..是QA流程有問題或QC造假數據嗎？ 07/21 19:55

→ 本人7樓如果他IMD材料換成不含矽的也須有可能 07/21 19:56

→ 本人8樓慢慢氧化吧～～ 07/21 19:57

paulkk9樓這個不知道能不能提出集體訴訟 intel可能 07/21 20:04

→ paulkk10樓一次倒閉 07/21 20:04

benmei9911樓波音當年鬧出人命都沒倒了… Intel要倒 07/21 20:09

→ benmei9912樓還很遠吧，何況現在還是美國命根子 07/21 20:09

arnold313樓美國政府不會讓他倒 07/21 20:16

DrGun14樓G叔：趕出貨喇！沒時間！！ 07/21 20:16

→ DrGun15樓

07/21 20:16

→ bear75395116樓就是製成不穩定就上了 07/21 20:18

→ aegis4321017樓不是說送實驗室了，等實驗室的報告出 07/21 20:24

→ aegis4321018樓來吧 07/21 20:24

Shepherd198719樓是QR, 可靠度不行. 07/21 20:28

yys31020樓我也記得Ta/TaN是這樣.. 07/21 20:31

dos0121樓不過我記得也確實是有直接被電死的案例 07/21 20:32

→ dos0122樓當初看是說以為電壓電太高被直接電死 07/21 20:32

→ dos0123樓現在看...可能真的要查一下才能確定原因 07/21 20:32

orze0424樓如果是因為氮化鉭中的一些雜質(反應前驅物 07/21 20:33

→ orze0425樓在長時間高壓下電遷移呢 07/21 20:34

→ leung374025026樓

07/21 20:37

→ leung374025027樓要是i4的barrier出問題我還覺得比 07/21 20:38

→ leung374025028樓較合理 07/21 20:38

→ leung374025029樓i7到i7u的主要變化就是cpp 07/21 20:38

lu1990021730樓真出事I社不會倒閉拉，會重傷接著考慮 07/21 20:44

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