原文標題：搶食高頻寬記憶體晶片！韓媒：HBM4爭霸戰
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發布時間：2024/05/20 06:51
記者署名：編譯魏國金／台北報導
原文內容：
韓國中央日報19日報導，在三星與SK海力士為第5代高頻寬記憶體（HBM3E）的市場，全面開
戰之際，爭奪號稱「改變遊戲規則」的下一代HBM4領導地位的戰爭也開始了，而台積電在這
場爭霸賽中居於上風。
標題為「『我們也將吃下記憶體』台積電向三星宣戰：HBM4爭霸戰」的文章指出，從HBM4開
始，邏輯半導體與記憶體之間的界線開始瓦解，IC設計公司、半導體代工廠以及記憶體公司
之間開始爭奪領導地位，而台積電是率先顯露雄心的巨頭。
台積電本月14日在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上，首度揭露第6代HBM4細節。台積電
宣佈正採用12奈米與5奈米製程，製造用於HBM4的基礎晶片，5奈米製程可被用來達成更高效
能，該戰略即是依據客戶要求的效能，客製化HBM4。
HBM的製造是將DRAM晶片堆疊在作為基座的基礎（邏輯）晶片之上，然後將之垂直連結而成
。一直到HBM3E，HBM的所有部份，包括基礎晶片都是由三星、SK海力士等記憶體晶片廠生產
，然而從邏輯晶片與記憶體合併為一的HBM4開始，基礎晶片是由半導體代工廠製造，這是因
為如果基礎晶片採用先進製程，可以包含更多運算功能。
在該研討會上，一名台積電高層首度承認他與SK海力士、三星與美光討論HBM4的發展，並表
示，我們正與主要夥伴就HBM4的整合製程進行合作。台積電也補充，正升級其CoWoS先進封
裝技術。
該文說，目前將邏輯晶片，比如圖形處理器（GPU）與HBM並排封裝的技術，將在幾年內發展
成將HBM放在GPU之上，並立體垂直堆疊的高科技技術。對此，台積電近期宣佈一個新的尖端
封裝技術進程計畫，並開始鞏固其壓倒性的優勢。據悉，輝達與超微已搶下台積電明年的先
進封裝產線。
文章說，台積電是第一家突破HBM領導之牆的代工廠，直到現在，這是記憶體廠制霸的領域
。在HBM4的發展上，台積電已宣佈與輝達、SK海力士合作，組成「3方同盟」，據此，SK將
取得台積電生產的基礎晶片，並將DRAM堆疊其上，SK也因此宣佈將提早1年，於2025推出HBM
4。
隨著台積電鎖定HBM市場，三星也逐漸升高戒備。在HBM3E的訂單戰中，三星尚未取得輝達的
驗證。韓國一名半導體業者說，在HBM市場上，三星不僅與SK競爭記憶體龍頭地位，現在也
與台積電競爭代工霸主地位，除非它放棄當中一個，否則必須在兩個領域都取得壓倒性優勢
，才有可能在競爭中勝出。
心得/評論：
韓媒就是愛挑撥，什麼叫做：『我們也將吃下記憶體』台積電向三星宣戰：HBM4爭霸戰
海力士不是韓國的？？是台積電的嗎？
不過三星目前看起來不妙。但HBM4還久。
三星先搞定HBM3E好嗎？
不然三星專心做家電、筆電、手機 就好。
記憶體讓海力士跟台積電來～
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