原文標題:
明年DRAM 冰火兩重天
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https://www.ctee.com.tw/news/20241203700183-439901
發布時間:
2024.12.03 03:00
記者署名:
工商時報 李娟萍
原文內容:
根據研調機構TrendForce預估,2025年DRAM產業將形成高頻寬記憶體(HBM)與傳統DRAM
,兩種截然不同價格走勢,前者是各季緩漲,後者各季緩跌。
全球雲端服務供應商(CSP)及大企業積極投資生成式AI,使得三星、SK海力士及美光等
三大DRAM大廠,紛紛將研發與生產重心轉向HBM,也影響了傳統DRAM產能及價格。
TrendForce預期,2025年DRAM產業產值年增36.3%、位元出貨量年增24.7%、平均單價年
增17.0%,三者皆呈雙位數成長。
就DRAM總體供需而言,2024年第四季到2025年第一季,呈現短暫供過於求後,至2025年第
二季後,隨著客戶開始備貨,將轉為供不應求,主要動能來自HBM。
HBM在DRAM市場的滲透率將逐步提升,預估2025年第四季時,HBM滲透率約達10%。
2025年DRAM產值年增36.3%至1,247.16億美元,主要受惠HBM滲透率提升,HBM3E顆粒預計
占2025年HBM的85%。
2025年DRAM平均售價年增率達17.0%;不過,DRAM平均售價上揚的動力,僅來自HBM產品
,傳統DRAM平均售價,預估從第一季至第四季,皆呈現個位數字緩跌,其中,DDR5價格走
勢,較DDR4價格波動小。
DRAM前三大廠積極備戰HBM市場,2025年將加快產線升級至1b奈米,主要供應HBM3E;
2026 年將再往1c奈米邁進,主要供應最新產品HBM4。
由於HBM3E和DDR5產品為共同前段1b奈米製 程,因此,前三大廠在HBM3E的供應進度,將
直接影響其對DDR5產品的供應能力,也將直接影響DDR5的價格走勢。
至於DDR3、DDR4等成熟產品價格走勢,則與消費性產品終端銷售、供應鏈庫存去化更直接
相關。市場法人分析,若消費性市場需求好轉,2025年下半年成熟型記憶體行情,或有翻
轉可能,但上半年應仍呈現供過於求的狀況。
心得/評論:
機構TrendForce預估2025年DRAM產業將分不同走勢 HBM將緩步走長 DRAM則緩步走跌
各大DRAM廠紛紛將研發重心及產能轉向HBM,相對排擠到傳統DRAM的產能
雖然預估2024Q4-2025Q1短暫的供過於求 但後面AI持續備貨將轉為供不應求
目前DRAM預估價格上漲的都是HBM ,傳統DRAM則是價格持續低迷
目前市場都預估前三大廠對於HBM的供應進度將會影響DDR5的價格走勢
而舊的DDR3 DDR4將持續去庫存化。
市場法人預估 2025消費市場需求如果好轉 記憶體有機會翻轉
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