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高壓GaN元件正往電動車變頻器市場前進，給SiC帶來壓力
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發布時間：
2023.3.30
記者署名：
茋郁
原文內容：
20年來，Si IGBT在中高功率元件領域佔據主導地位，包括在電動車功率電子領域，但現今正在讓位於新一代寬能隙（WBG）材料：SiC和GaN。這將從根本上影響封裝材料在內的新型功率元件的設計，因為在更高溫度下工作的環境下，更小、更高功率密度的模組將出現。
在電動車功率電子中，SiC正成為首選材料，而GaN通常被包裝用於電信或光電子應用。在某種程度上，這是因為SiC具有最大的導熱性，這自然適合電動車典型的高溫、功率和電壓操作。然而，GaN仍然可以實現比矽的還要高兩倍導熱率，並且幾乎在其他指標上（從電子遷移率和效率到擊穿電壓）也都優於SiC。
問題在於GaN的實際操作比其理論極限低了兩個數量級。GaN的商業化目前也受到其低功率/低電壓操作的限制，這是技術不成熟的結果，未來其在電動車中的採用快慢將取決於何時能夠獲得改善。此外，散裝GaN的成本也令人望之卻步，但隨著第一批600V GaN變頻器的出現，GaN-on-Si將開始被採用。
阻礙GaN元件進入EV市場的關鍵是材料的生產品質，這取決於磊晶基板是GaN、SiC或是Si。由於材料退化的主要來源是磊晶成長和基材之間的不匹配，因此理想的情況是同質磊晶或GaN塊材（GaN-on-GaN）。
GaN塊材為 94kV，SiC為45kV。而目前量產的GaN-on-Si，由於失配性的問題，約為1kV，與矽塊材相當。從實際元件的阻斷電壓來看，證明了矽基板對性能的衝擊效應。
與新興技術的情況一樣，GaN-on-GaN的採用受到高成本的限制。GaN塊材僅適用於小晶圓尺寸，其成本是GaN的1000倍左右。下一個最佳選擇是 GaN-on-SiC，因為其失配性較低，但同樣具有大約兩個數量級的成本。因此，要將GaN用於高壓應用，例如：EV變頻器，需要改善GaN-on-Si之間的失配性或實現GaN塊材的低成本生產。 在此之前，SiC仍將是高壓WBG應用的主要選擇。
然而，機會正在出現，IDTechEx預測車載充電器和DC-to-DC轉換器將成為第一個GaN市場切入點。這是因為車載充電器和轉換器以更低的功率運行，而 WBG材料的效率優勢明顯推動了更快的交流充電或低壓電池的內部充電。
此外，隨著新的合作夥伴關係的形成，高壓GaN在2022年取得了令人振奮的進展。 總部位於以色列的VisIC Technologies與Hofer Powertrain合作，將在800V EV 變頻器設計中使用VisIC的650V GaN晶片。這將是GaN 技術應用於高壓變頻器的首批案例之一。鑑於汽車採用周期通常約為四年，電動車市場採用高壓GaN 的大門正在打開，將為該產業帶來巨大的新成長機會。
心得/評論：
這幾年產業對於碳化矽（SiC）的追求，起源於特斯拉在其電動車中採用SiC晶片所致，然而特斯拉在2023年投資者日表示將大幅減少其下一代汽車動力系統中使用SiC電晶體的使用。IDTechEx則預測GaN市場切入點為車載充電器和DC-to-DC轉換器。
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