美再鍘！傳美設備大廠駐廠人員全面撤離，長鑫存儲 15 奈米量產計畫告急
https://technews.tw/2025/02/17/cxmt-fab-korea-memory-factory/
中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）近年來迅速擴大市占率，成功全球 DRAM 市場，嚴重威
脅三星、SK 海力士（SK Hynix）及美光等記憶體巨頭的主導地位。
在前美國總統拜登時期，美國原計劃在最新的第三輪晶片禁令中瞄準長鑫存儲，但傳出因
日本反對而作罷，主要是考量日本晶片製造設備巨頭東京威力科創（TEL）是長鑫存儲的
主要供應商。然而，業界最新消息傳出，美系設備供應商的技術人員已經從長鑫存儲工廠
撤離，背後原因推測是美國政府今年 1 月再度收緊管制，管制範圍已擴及長鑫存儲目前
正在量產的 18 奈米，導致美系設備商不能協助其設備維護。
雖然目前無法確定影響程度，但考量到未來機台維修、韌體更新問題，長期可能影響長鑫
存儲的技術進程。這在韓國記憶體大廠眼中，可能是個好消息。
值得注意的是，應材剛舉辦財報會議，表示前任拜登政府最後一個月公布的出口新規，將
對 2025 財年的營收衝擊估計將達 4 億美元，主要集中在公司服務部門，原因是必須停
止部分中國客戶的設備維護服務，似乎與業界消息不謀而合。
而近期美國政府的動作也凸顯美方持續收緊管制的政策方向。美國眾議員 11 日才剛點名
設備大廠科林研發（LAM Research）不配合調查，並說如果未在 2 月 21 前提交資料，
將不排除採取必要強制程序。
紅潮強襲，沖走韓國記憶體大廠一大片獲利
事實上，目前業界對於長鑫存儲的迅速崛起備感震驚。
根據《金融時報》（FT）引用深圳顧問公司研究數據，中國長鑫存儲在全球約 900 億美
元 DRAM 記憶體市場的占有率，原本是 2020 年的接近零，但到 2024 年已經有 5% 市占
，成長速度相當驚人，不排除未來會進一步「滾雪球式」成長。
去年業界頻傳，長鑫存儲在 DRAM 技術已追上三星，差距已縮小至 1.5 年以下；產能部
分，長鑫存儲目前月產能為 23 萬片晶圓，2025 年將提升至 33 萬片，產能直逼美國
DRAM 大廠美光。
至於 HBM 方面，雖然目前還在 HBM2 客戶送樣階段，但在中國政府強力補貼政策之下，
長鑫存儲 DDR5 進程已經直逼 15 奈米。研調機構 TechInsights 指出，長鑫存儲本來首
款商用 DDR5 要採 17 奈米製程，但現在已往前至 16 奈米，下一代 15 奈米也在現有製
程上開發，目標是 2025 年完成、2026 下半年商業化，速度相當驚人。TechInsights 認
為，「這意味他們找到獨特的方法，以商業規模設計並製造這款晶片」。
調研估長鑫存儲 DDR5 技術應落後韓美 3 年
TechInsights 分析，長鑫存儲最新技術落後韓國兩大廠及美光約 3 年，但長鑫存儲與業
界巨頭抗衡的能力已提升。
此外，長鑫存儲也在中國政府政策支持下持續累積其在業界中的競爭力。舉例而言，中國
政府透過退稅政策鼓勵廠商採用中國自製零組件，吸引不少筆電大廠採用中國零組件，從
聯想（Lenovo）乃至於 Dell、HP 在中國銷售筆電的機種據傳皆會採用長鑫存儲 DDR5 產
品。
另外也有調研機構指出，由於長鑫存儲擴大 DDR4 產能，去年底產能提高到每月 20 萬片
，市占率已達到 15%。三星、SK 海力士在市場供應增加、壓低記憶體價格的情況下不得
不退出低階市場。如今，傳出美系設備大廠全面撤出長鑫存儲，情況如同當年長江存儲的
狀況，是否能讓被緊追的韓系廠商喘一口氣，也是業界關注焦點。
不過，也有熟悉中國半導體的業界人士認為，由於美國已多次祭出口禁令，中國廠商已多
有準備，至少都會備貨半年到一年的庫存量，因此評估短期之內的影響相對有限，但長期
是否有效削弱長鑫存儲的競爭力，仍需時間觀察。
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