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美光科技 (MU-US) 26 日宣布已成功向客戶供應第六代 10 奈米級 DRAM 樣品,
反超韓國三星與 SK 海力士,打破原有的市場格局。
美光表示,將於 3 月 25 日正式推出基於全新 1γ(1-gamma)製程技術的 16Gb
DDR5記憶體,這是美光首次採用極紫外(EUV)曝光技術。
新記憶體不僅比前代產品具備更高效能、功耗更低,製造成本有望進一步下降。
此外,美光表示,其 1γ 製程技術(第六代 10nm 級節點)未來將應用於其他
DRAM 產品。
美光表示,1γ DRAM 是美光繼領先業界的 1α(1-alpha)和 1β(1-beta)DRAM
製程節點之後,再次樹立的重大里程碑,並將有效賦能雲端、工業與商業消費端及
邊緣 AI 設備(如 AI PC、智慧型手機及汽車等)等未來運算平台。
美光科技執行副總裁暨技術和產品執行長Scott DeBoer 強調,美光運用其開發專有
DRAM 技術的專業知識,搭配 EUV 微影技術的策略性運用,形成頂尖 1γ記憶體的強
大產品組合,以推動 AI 產業生態系統向前邁進。
在半導體產業的激烈競爭中,美光率先量產第六代 DRAM 晶片的消息,一時間引發業界
關注。這項突破性的進展,不僅展現了美光在技術研發上的強大實力,也為其在未來的
市場競爭中贏得了先發。
一直以來,三星和 SK 海力士在 DRAM 市場中佔有重要地位,而美光此次成功突圍,率
先推出第六代 DRAM 晶片,或將打破原有的市場格局。
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