英特爾訂購下一代High-NA EUV掃描儀 期望在2025年實現量產
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英特爾有望在2025年採用艾司摩爾 (ASML) 0.55 High-NA EUV 極紫外光微影
(Lithography) 技術。 TWINSCAN EXE:5200系統 一種具有高數值孔徑和每小時200多片晶
圓的極紫外 (EUV) 大批量生產系統。
由於，英特爾在第一代極紫外 (EUV) 微影技術方面，明顯落後於其競爭對手台積電和三
星，因此肯定希望率先採用具有0.55 NA (或High-NA) 的下一代EUV工具，以提供更高的
分辨率和生產力。英特爾宣布已從ASML訂購了第二款實驗性High-NA工具。
英特爾宣布計劃從2025年開始採用ASML的High-NA Twinscan EXE掃描儀，進行大批量製
造 (HVM)，屆時該公司打算開始使用其18A (~1.8nm) 製造技術。其實，英特爾自2018年
獲得ASML的High-NA EUV (Twinscan EXE:5000) 以來，一直在試驗High-NA工具，這是業
界首款具有0.55數值孔徑的EUV掃描儀。接著，2022年該公司訂購了ASML的下一代高數值
孔徑工具Twinscan EXE:5200。據ASML總裁兼首席技術官表示，該型EUV與當前的EUV系統
相比，擴展EUV路線圖提供了持續改進，降低了晶片擴展所需的複雜性、成本、週期時間
和能量。
High- NA EUV工具對於實現更小晶體管和更高晶體管密度的更高分辨率 (<8nm vs~20nm
for 0.33 NA EUV) 至關重要。除了完全不同的光學設計外，高數值孔徑掃描儀還承諾提
供顯著更快的掩模版和晶圓級以及更高的生產率。例如，ASML Twinscan EXE:5200的生產
率超過200片/小時 (WPH)。相比之下，ASML的頂級0.33 NA EUV機器Twinscan NXE:3600D
以13.5nm的光波長產生約160 WPH。
就像採用0.33 NA EUV並沒有消除深紫外 (DUV) 的使用一樣，0.55 NA EUV也不會取代現
代晶圓廠中現有的DUV和EUV工具。事實上，ASML計劃在未來幾年繼續開發更先進的DUV和
0.33 NA EUV掃描儀。同時，High-NA EUV技術將成為縮小電晶體管尺寸和提高晶體管密度
的關鍵技術。
艾司摩爾 (ASML) 是EUV獨家供應商，邁向2奈米競爭下世代EUV設備再飆上新天價。據知
，下世代High-NA EUV設備因為精密度更高、設計零件更多，售價更高達約3億美元，來自
英特爾、三星、台積電這三大主要客戶，截至去年第4季訂單已有五台。其中，最新款機
種「EXE:5200」由英特爾率先搶下，報價逾3.4億美元，再創歷史新高價。目前ASML第一
代High-NA EUV，稱為EXE：5000，吞吐量可達185 wph，計劃於2022年推出。至於更快版
本的EXE：5200是預計於2024年推出，而英特爾推遲到2025年量產。
下世代EUV設備飆漲，也大舉拉高台積電今年 (2022) 資本支出，總金額上看440億美元，
年增幅33%，相關支出多數用於先進製程，業界認為，先進製程朝2奈米推進，下世代EUV
設備扮演關鍵角色。
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