https://www.chinatimes.com/newspapers/20231213000180-260202?chdtv電晶體微縮...英特爾大突破
04:10 2023/12/13 工商時報 陳穎芃 、綜合外電
英特爾為了在半導體市場重拾競爭力，近日在年度IEEE國際電子元件會議（IEDM）上發表
多項新一代電晶體微縮技術突破，其中最大亮點，是晶片背部供電及直接背部接觸的3D堆
疊互補金屬氧化物半導體（CMOS）電晶體，有助英特爾朝4年5節點的目標邁進。
隨著電腦運算需求急速擴大，英特爾近年不斷設法延續摩爾定律，並訂下4年5節點的計畫
，宣稱未來新晶片設計的規格單位將不再侷限於奈米，而是進入埃米時代（Angstrom Era
）。
英特爾先前已宣布明年推出的20埃米（20A）節點將運用新一代RibbonFET技術，這次在
IEEE國際電子元件會議上又發表更新技術，那就是晶片背部供電及直接背部接觸的3D堆疊
CMOS電晶體。
英特爾在會中展示，這項創新技術能在小至60奈米的微縮閘極間距垂直堆疊互補場效電晶
體（CFET），大幅提升空間效率。
英特爾表示，晶片背部供電及直接背部接觸的3D堆疊CMOS電晶體能將處理器電力互連元件
移至晶片背面，換言之晶片正面能容納更多資料傳輸元件，況且電力互連元件的體積也能
擴大，相對減少電阻。
事實上，英特爾早在兩年前就為3D堆疊CMOS電晶體申請專利，但在今年5月ITF World大會
上才首度公開3D堆疊電晶體研發計畫。英特爾近日公布的製程技術藍圖一再強調電晶體微
縮技術創新，其中PowerVia晶片背面供電技術已經預定明年量產。
#堆疊 #CMOS #供電 #元件 #電晶體
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※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1702442640.A.7B4.html→ VSshow1樓還不是被GG電！ 12/13 12:53
motan2樓
12/13 12:58 SkyShih3樓畫大餅大家都會 12/13 13:04
havochuman4樓天元突破 12/13 13:23
leon1757tw5樓急了 12/13 15:05
popileds6樓2nm是突破啥 12/13 16:13
jason612067樓原來大家的思維都是先否定別人 12/13 16:13
jimcjp8樓英特爾最不缺黑科技 12/13 16:29
sqt9樓關鍵字：牙膏，車尾燈，後照鏡 12/13 17:02
→ controlgod10樓有良率才能賺錢 12/13 17:09
venomsoul11樓埃米是啥小 12/13 17:36
losehope12樓GG應該戒慎恐懼，居安思危才對！ 12/13 18:11
→ btpeter13樓GG可悲仔…一堆輪班仔 有沒有專業點的RD上來回下… 12/13 18:18
→ btpeter14樓都一堆不懂三小的設備仔推文…. 12/13 18:18
iosian15樓縮了 12/13 18:53
centra16樓是英特爾的概念也沒錯 12/13 19:12
→ Cramael17樓這些不是台積科技論壇都有講了？ 12/13 19:13
ijk118樓笑了 原來都是不懂製程的設備仔在推文喔 12/13 19:52
Shepherd198719樓看推文這麽有信心, 台積穩了 12/13 19:57
bravobrave20樓電晶體顯影眼鏡 12/13 19:58
ljsnonocat221樓Angstrom應該直接叫埃，不需要米 12/13 20:50
randystock22樓埃米那姆？ 12/13 22:18
Battie23樓在這兒GG RD推謹慎的文,就會被產線菁英笑,畢竟GG都 12/13 22:35
→ Battie24樓是靠產線菁英在這兒嗆聲才會強的 12/13 22:35
→ stonecold12325樓一堆門外漢 特爾輸t太多了 不管前後段都是 特爾已 12/14 06:44
→ stonecold12326樓然是PPT公司 12/14 06:44
F123981027樓GG也微縮了 12/14 10:37
ghgn28樓我記得GG自己也有研發3D堆疊 英特爾這個應該是不同 12/14 13:16
→ ghgn29樓堆疊方法吧？ 12/14 13:16
→ btpeter30樓GG 3D封裝有分前段SOIC 跟後段的FION ,COWOS 都是 12/14 15:11
