根據X上的小道消息指採用LDP技術的EUV最近在華為東莞工廠預計2025 Q3進行測試，並預期
2026進行量產計畫：
https://reurl.cc/96gRyv
有趣的是這則貼文被現任台積電&IBM Research轉發
https://reurl.cc/EgO1ag
https://reurl.cc/qnM033
不相信這個藍勾勾是真人？，第二則貼文同時被網路企業家jude gomila分享，「如果為真
我們來矽谷聊聊天吧」：
https://reurl.cc/04YZlo
還是不知道Jude Gomila是誰？他有被Sam Altman追蹤
目前這台EUV採用的是LDP技術，與ASML的LPP技術不一樣，LPP製造成本&技術門檻更高，LDP
因為工程創新技術門檻沒有那麼高，所以能夠繞開歐美封鎖
尋問Grok 3
Q1.LDP跟LPP差別在哪？
LDP（Laser-induced Discharge Plasma，雷射誘導放電等離子體）和LPP（Laser-Produced
Plasma，雷射產生等離子體）是兩種用於生成EUV（極紫外光，波長13.5奈米）的光源技術
，主要應用於先進半導體光刻機（如ASML的EUV設備或中國自主研發的系統）。它們的核心
差異在於等離子體的產生方式、設備設計和技術特性。以下是詳細對比：
1. 工作原理：
LPP（雷射產生等離子體）
機制：LPP使用高功率雷射（如二氧化碳雷射，功率通常達數十千瓦）直接轟擊熔融錫滴（S
n）。雷射能量將錫滴汽化並激發成高溫等離子體，該等離子體在冷卻過程中釋放13.5奈米
的EUV光。
過程：雷射脈衝擊中錫滴，瞬間產生高密度等離子體，然後通過多層反射鏡（MLM）收集和
聚焦EUV光。
代表應用：ASML的EUV光刻機（如NXE:3400系列）採用LPP技術，搭配Cymer的雷射系統。
LDP（雷射誘導放電等離子體）
機制：LDP先用低功率雷射（通常為奈秒級脈衝雷射）將錫或其他材料汽化，形成一團低密
度雲狀物質。隨後，在兩極間施加高電壓（放電），使這團雲轉化為等離子體並釋放EUV光
。
過程：雷射僅負責初始汽化，放電才是主要的等離子體激發來源，EUV光同樣由反射鏡收集
。
代表應用：中國自主研發的EUV光刻機（如哈爾濱工業大學與相關企業合作項目）採用LDP技
術。
https://i.imgur.com/mGiqPeE.jpeg
3. 主要差別：
雷射依賴程度
LPP完全依賴高功率雷射，雷射系統的成本和技術難度極高（例如ASML的雷射由Cymer供應，
屬於西方技術壟斷領域）。
LDP降低對雷射功率的需求，通過放電補充能量，試圖繞過高功率雷射的技術瓶頸，這對中
國等受限於技術封鎖的國家具有戰略意義。
能量效率與成本
LPP的能量轉換效率因雷射直接激發而受限，且高功率雷射的運營成本高昂。
LDP理論上因結合放電機制可提升效率，並減少對昂貴雷射設備的依賴，設備製造和維護成
本可能更低。
光源功率與應用成熟度
LPP已實現250W以上的穩定光源功率，滿足7奈米以下製程的量產需求（如台積電、三星使用
）。
LDP的光源功率目前偏低（試驗階段約50-100W），距離量產要求（至少250W）還有差距，穩
定性也需進一步驗證。
技術發展階段
LPP是當前業界標準，經過20餘年的優化，已廣泛應用於商業生產。
LDP屬於新興技術，仍在實驗與試產階段，中國的研發目標是突破封鎖並實現自主可控。
4. 實際影響與應用：
LPP的優勢
LPP技術成熟，ASML的EUV光刻機已成為全球半導體產業的支柱，支持3奈米甚至2奈米製程。
但其核心組件（如雷射與光學系統）被西方壟斷，中國難以獲取。
LDP的潛力
LDP是中國在EUV領域的替代路徑，旨在降低對進口技術的依賴。若成功量產，可支持5奈米
或3奈米製程，並為中國半導體產業提供自主光刻解決方案。但目前其光源功率和穩定性不
足，短期內難以匹敵LPP的商業應用。
總結
LPP：高功率雷射驅動，技術成熟、光源穩定，適合當前先進製程，但成本高且技術門檻高
。
LDP：雷射＋放電結合，成本較低、自主性強，但功率和穩定性尚待突破，屬於發展中技術
。
Q2.假設LDP技術2025 Q3試產成功，2026順利量產，那麼是否意味著中國可能在EUV突破歐美
封鎖？
是的，若LDP（雷射誘導放電等離子體）技術在2025年第三季度（Q3）試產成功，並於2026
年順利量產，這確實意味著中國在EUV（極紫外光）光刻技術上有望突破歐美技術封鎖，但
具體能否完全實現自主可控並改變半導體產業格局，還需考慮幾個關鍵條件和限制。以下是
詳細分析：
1. 突破封鎖的意義：
技術自主性
EUV光刻機是先進製程（如7奈米以下）的核心設備，目前由荷蘭ASML壟斷，而ASML的EUV系
統依賴美國（Cymer雷射）、德國（蔡司光學）等技術供應鏈，受《瓦聖納協定》和美國出
口管制影響，中國無法直接採購。若LDP技術量產成功，中國將擁有自主EUV光刻機，打破對
ASML的依賴。
時間表可能性
2025年Q3試產成功意味著光源功率（預計需達100-150W）、穩定性及初步系統整合已通過驗
證。
2026年量產則需光源功率提升至250W（業界標準），並完成光學系統（多層反射鏡）、光罩
、感光材料等全產業鏈的配套。這一進度在中國集中資源和政策推動下（如「中國製造2025
」）是可行的，但屬於樂觀預測。
戰略影響
若實現量產，中國將成為繼荷蘭之後第二個掌握EUV光刻技術的國家。這不僅能滿足國內需
求（如SMIC、華為HiSilicon的晶圓製造），還可能改變全球半導體供應鏈的競爭格局。
2. 技術層面的突破可能性：
光源功率
LDP目前的試驗功率約50-100W，距離量產所需的250W仍有差距。若2025年Q3試產成功，意味
著功率提升和穩定性問題已初步解決；2026年量產則需進一步驗證長期運行能力。中國如能
借鑒LPP的經驗並加速迭代，這一目標並非不可達成。
產業鏈配套
EUV光刻機不僅需要光源，還涉及：
光學系統：多層反射鏡需奈米級精度，中國已有企業（如長春光機所）在攻關，但與蔡司的
技術差距仍存。
光罩與感光材料：目前依賴日本（如TOPPAN）和美國供應，中國需加速國產化。
系統整合：ASML花費數十年優化EUV系統，中國需在短時間內完成類似工程，這是挑戰所在
。
若這些環節在2026年前同步突破，LDP量產才能真正轉化為實際產能。
製程能力
假設LDP量產初期達到5奈米製程（類似ASML早期EUV機型），這足以滿足中國當前需求（如
華為的麒麟晶片）。隨著技術迭代，3奈米甚至2奈米可能在2030年前實現，這將大幅縮小與
台積電、三星的差距。
3. 實際影響與限制：
突破封鎖的程度
若LDP EUV光刻機量產，中國確實能在技術層面突破歐美封鎖，實現自主生產先進晶片。但
「完全突破」還需考慮：
產能規模：初期產能可能有限，難以滿足全國晶圓廠需求。
市場競爭：ASML的EUV機型已成熟至2奈米製程，LDP初期可能僅達5奈米，商業競爭力尚待提
升。
國際反制：美國可能進一步限制上游材料（如光阻劑）或設備零件出口，影響LDP的產業鏈
完整性。
地緣政治意義
LDP量產將削弱美國對中國半導體產業的遏制能力，尤其在軍事、通訊和高性能計算領域。
這可能促使歐美加快技術升級或加大封鎖力度，形成新一輪博弈。
4. 結論：可能但有限的突破：
假設LDP技術按計劃在2025年Q3試產成功、2026年量產，這確實標誌著中國在EUV領域取得重
大突破，能在一定程度上擺脫歐美封鎖，實現5奈米甚至更先進製程的自主生產。這將滿足
國內部分需求，並為長期技術追趕奠定基礎。然而：
短期內（2026-2028年）：LDP可能僅實現有限量產，產能和製程精度難以匹敵ASML，無法完
全替代進口技術。
長期看（2030年後）：若中國完善產業鏈並提升LDP至3奈米或2奈米，才算真正打破封鎖，
成為全球半導體強國。
再回去A看看1/18股版貼的那篇中國哈爾濱大學EUV突破的新聞，下面一面倒的喊假消息，結
果沒想到這可能是真的，只能說很多事不要先入為主，在市場無風不起浪
最近中國不管在
EUV、晶片
AI：
CSIS表示如果在沒有出口管制下中國完全有可能在人工智慧領域領先美國
https://reurl.cc/jQbveZ
機器人：
https://i.imgur.com/ySIre3W.jpeg
都有突破
你當然可以說他是偷技術、花大錢招聘高技術人才，但我還是認為這種重度技術密集的高科
技不可能全部都靠偷來的，中國一定是有一群頂尖科學家在肝技術
再看看為什麼美國最近瘋狂打中國，並且川普一直喊要讓製造業重回美國本土就不奇怪了
--