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三星、海力士陸廠設備 獲解禁
美國即日起無限期開放對三星及海力士陸廠，出口半導體設備；台積電不評論
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同樣受限美方禁令的台積電9日表示，不評論市場傳聞。圖／美聯社
韓國9日宣布，美國已將三星電子及SK海力士兩大晶片業者列入認證終端用戶（VEU）名單
，即日起無限期開放美國業者對三星及SK海力士中國廠房出口半導體製造設備，有助穩定
全球晶片產能。韓國總統府經濟事務秘書Choi Sang-mok表示：「美國政府的決定化解了
韓國半導體產業最大貿易問題。」
同樣受限美方禁令的台積電9日表示，不評論市場傳聞。法人研判，台積電南京廠是以28
奈米製程技術為主，未來迭代至先進製程機率不高，影響有限。另韓廠在中國生產的記憶
體晶片，非最先進的，且依然無法採購ASML的EUV光刻機至大陸工廠，只能在成熟製程範
圍內維持經營。
去年10月美國政府為防止中國急速擴張半導體勢力，下令禁止美國業者出口先進半導體產
品及設備至中國。
這項禁令涵蓋產品列表包括採用FinFET製程技術的16奈米至14奈米邏輯晶片、18奈米以下
的DRAM晶片，及128GB容量以上DRAM晶片生產設備或技術。美國半導體業者須向政府取得
授權，才能將特定品項出口至中國。
美國政府為確保全球半導體市場供貨穩定，去年10月授予台積電、三星及SK海力士為期一
年的豁免權。今年9月豁免權即將到期，三星及海力士取得無限期豁免權，未來即不用再
逐年談判。
三星在西安設有晶片廠專門生產NAND Flash記憶體晶片，產量占三星全球NAND Flash產量
的40％。三星在蘇州還有一座晶片封裝廠。SK海力士在大陸有多間廠房，其中無錫廠生產
DRAM記憶體晶片占該公司全球產量的50％。
台積電方面，第二季製程結構已以先進製程為主，5奈米和7奈米製程比重已逾50％，來自
中國大陸比重已不及15％，影響不大。另一方面，台積電選擇降低中國營收比重，積極擴
張海外產能，將地緣衝突影響降至最低。
法人認為，豁免消息主要影響恐是破壞記憶體供需平衡，無限期豁免下，兩大記憶體公司
將持續增加中國工廠產能，加上中國記憶體晶片廠快速崛起，如長江存儲，長鑫存儲及福
建晉華，若供給持續開出，難免又造成另一次價格崩跌，台廠如南亞科、華邦電、旺宏將
首當其衝。
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上座部佛教目犍連子帝須和那先破偽經大乘十方諸佛
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