Pat Gelsinger 稱中國晶片製造「落後十年」，差距會一直持續
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英特爾執行長 Pat Gelsinger 在世界經濟論壇表示，美國、日本和荷蘭的出口制裁，暫
時限制中國 7 奈米以下製程發展，雖然中國會持續發展半導體產業、設計更先進晶片製
造工具，但仍比全球半導體業落後十年，之後也會一直如此。
Gelsinger 認為，美日荷政策某種程度為中國半導體業設定 10~7 奈米的下限。目前中芯
國際有 7 奈米技術，比台積電和三星晚約五年半；上海華力微電子公司（HLMC）2020 年
開始試產 14 奈米 FinFET 製程，也比台積電落後九至十年。
中芯國際和上海華力微電子都使用荷蘭、日本、韓國、台灣和美國製造設備及材料，但因
無法獲得這些原物料，因此不得不開發自家晶圓廠設備，找出能用於先進晶片的氣體、抗
蝕劑和其他化學品方法。
Gelsinger 預期，中國晶片產業落後全球約十年，雖會不斷發展，但在可預見未來仍落後
十年，主要是因爲「半導體是高度相關產業，包括蔡司鏡片、ASML 設備組裝、日本化學
品和抗蝕劑、英特爾光罩製造，我認為這些加起來有十年差距，且出口政策下，會持續這
十年差距。」
也因此，面對全球整個產業的投入與合作，中國能否靠一己之力獨自完成，仍待商榷，如
果中國無法獲得先進晶片設備和技術，中國半導體公司可能透過逆向工程和仿製來獲取設
備，縮小與全球晶片產業差距，雖然不是可持續下去的方法，但別無選擇。
談到先進製程，Gelsinger 也表示，英特爾正往 2 奈米以下發展，再來是 1.5 奈米，在
製程是看不到盡頭的。
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