[新聞] SRAM密度較高下 美科技網站：台積電N2遠

原文標題：
SRAM密度較高下 美科技網站：台積電N2遠勝英特爾18A

原文連結：
https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4884370

發布時間：
2024/12/05 06:20

記者署名：
編譯魏國金／台北報導

原文內容：

美國科技網站Tom's Hardware報導，台積電的2奈米（N2）製程在靜態隨機存取記憶體（
SRAM）的密度上優於英特爾的1.8奈米（18A）製程。根據2025國際固態電路研討會（
2025 ISSCC）先進計畫，英特爾的18A SRAM密度大幅低於台積電的N2，較接近台積電的3
奈米（N3），不過，相較台積電的N2，英特爾的18A可能仍有其他重要優勢。

報導說，英特爾18A製程的特點是具有 0.021 μm^2 的高密度 SRAM 位單元尺寸（因此達
成約 31.8 Mb/mm^2 的 SRAM 密度），這與台積電N3E與N5提供的一致。相較之下，台積
電N2製程技術將 HD SRAM 位單元尺寸縮小至 0.0175 μm^2 左右，使 SRAM 密度達到
38 Mb/mm^2。

18A與N2都依賴環繞式閘極（GAA）電晶體，但有別於英特爾，台積電成功縮小其高密度
SRAM位單元尺寸。不過應該注意的是，除了SRAM的位單元大小外，SRAM的一個關鍵特性是
其功耗，目前並不真正知道在此指標上，18A與N2如何比較。

SRAM密度是最難以用現代製程技術微縮的東西之一，因為這涉及複雜的設計、對穩定性與
可靠性的操作要求，以及在較小節點上增加可變性。換言之，一些現代技術相較於其他製
程節點，有較大的SRAM單元尺寸，並不足為奇。


心得/評論：
intel一直聲稱18A在2025量產
並且目前進度一切順利
預期新CEO上台會有一波拉升
希望是台灣人，如果是印度....
當然除了製造方面，設計似乎也有問題
這都是要考慮進去的

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「我看不到」
「欸 我真的看不到」
「 」
「我還是什麼都看不到啊...」
「我看不到我看不到我看不到!」

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